此次火箭發射圓滿落幕,在國慶的第三天,第七天,大唐科技又陸續發射了兩次的火箭,造成了不小的轟動。


    這讓人們都看見了大唐科技的火箭發射能力非常的強大,以及技術儲備和科技底涵到底有多麽的恐怖。


    隨著發射一次又一次的成功,已經讓所有人都看見了大唐科技的實力。


    與此同時,隨著三艘火箭發射成功之後,大唐科技在太空中一共有九顆通訊衛星。


    三天後,采礦飛船在月球背麵組裝完畢,它承載著大唐科技未來發展的希望,正在往火星的軌道上不斷的加速。


    ....


    人們都說互聯網的記憶隻有半個月,隨著半個月的時間過去之後,網絡上鋪天蓋地的討論聲已經削弱了下去。


    而葉凡對於網上的討論,倒是並不怎麽關心,因為不管是支持他的也好,反對抹黑他的也罷,言論上是完全無法擊倒葉凡的。


    此時的葉凡,正在揉著額頭,思考著另外的一個問題。


    因為從騰龍芯片集團那邊傳來的消息,按照葉凡的方案,他們已經成功研究並且突破到了3nm的光刻機,而且已經繪製完畢了圖紙,隨時可以提交生產。


    甚至他們已經在著手研究1nm,以及更小精度的光刻機,這一切的發展看起來似乎是欣欣向榮。


    然而讓葉凡頭疼的是,當矽基芯片突破到了1nm之後,量子隧穿效應將會引發“電子失控”,導致芯片失效。


    準確的說,在5nm甚至是7nm以下,就已經存在量子隧穿效應了。


    在這種情況下,替換芯片的矽基底,或許是芯片進一步發展的可能性。


    別看現在已經搞出來了量子計算機,但是未來隨著量子晶體管的逐漸集成化,量子晶體管最終還是會蝕刻到矽基芯片上。


    所以未來計算機的發展,無非是從電子晶體管,換成了量子晶體管而已,本質上是沒有變化的。


    隻不過是如今量子計算機的算力實在是太nb,所以掩蓋了其不需要集成化的本質。


    一旦到時候需要計算的事情超過了量子計算機本身的承載能力,滿足不了如今的需求了,那麽量子計算機的集成化是必須要考慮的事情。


    而電路方麵的集成化,就繞不開矽基芯片,繞不開蝕刻這一個步驟。


    而早在2016年,《科學》雜誌就已經報道過了勞倫斯伯克利國家實驗室的研究成果:世界上最小的晶體管,也就是1納米柵極長度的mos2晶體管。


    進一步縮小晶體管尺寸是提高計算機算力,以及打破技術瓶頸的重要突破。


    晶體管越是小,那麽芯片上的容量就會越大,處理器的速度就越快,計算機的效率也就會更加的高。


    多年以來,計算機行業一直受到摩爾定律的支配,摩爾定律所指出,半導體電路中的晶體管數量每隔兩年就會翻一倍。


    但是展望未來,目前摩爾定律的發展已經開始遇到麻煩了,所謂的麻煩就是無力定律。


    雖然用矽製造7nm節點在技術上是可行的,但是在那之後就遇到了問題,小於7nm的矽晶體管在物理上麵精密相連,電子會經曆量子隧穿效應。


    所謂在芯片上的量子隧穿效應,是指的電子可以連續的從一個門流向下一個門,而不是停留在預期的邏輯門之內,所以這子在本質上使得晶體管不可能處於關閉狀態。


    而晶體管正是需要一開一關,代表著0和1這兩個計算機最本質上的東西,才能正常的運作。


    所以量子隧穿效應的發生,使得芯片始終無法製造到3nm以下。


    雖然已經可以製造1納米光刻機了,但是製造出來的光刻機能用,不代表著芯片也能用啊。


    而工業界一直在壓榨著矽基底的每一點產能,通過將材料轉換成為mos2,就可以製造出一個隻有1nm長的柵晶體管,並且像是開關一樣控製它。


    眾所周知,晶體管都是由三個端子所組成的,分別是源極,漏極和柵極。


    電流從個源極流向漏極,並且由柵極所控製,柵極根據所施加的電壓進行導通或者關閉電流。


    矽和mos2都是具有晶格結構,但是通過矽的電子有效質量比mos2要小。


    所以當柵極長度為5nm或者更長的時候,矽晶體管可以正常的工作,但是一旦柵極長度小於這個長度的時候,一種叫做量子隧穿的量子力學現象就開始出現了。


    柵勢壘就不能夠再阻止電子從源極流入漏極,這就意味著不能夠再開關晶體管,即電子失去了控製。


    而通過mos2的電子具有更高的質量,它們的流動可以通過更小的門來進行控製。


    而mos2可以縮小到原子一樣的薄片,大約有0.65納米厚,具有較低的介電常數(反映了材料在電場中的儲存能量的能力)這些特性。


    所以這就使得mos2柵極長度減少到1納米的時候,可以對晶體管內部的電流流動進行有序的控製。


    雖然勞倫斯伯克利國家實驗室對此方案的可行性進行了實驗驗證,但是不得不強調的是,這裏的研究仍然處於非常早期的階段。


    一個14納米的芯片上有超過十億個晶體管,而伯克利實驗室團隊,還沒有開發出一種可行的方法,來批量生產新的1nm晶體管,甚至還沒有開發出使用這種晶體管的芯片。


    所以通過mos2替代矽基底的這條路,還是具有一定的可行性的,但是這套路實際上能走多遠,所有人的心中都沒有答案。


    而一些白癡的想法,例如說同等晶體管的數量之下,既然無法將芯片做小,那麽將芯片的麵積做大一倍等等行為,仔細查查資料就可以看出來,是非常反智的。


    畢竟大了之後的問題會很多,首先發熱量會導致頻率根本無法得到提升,那麽做大芯片唯一可以實現的就是增加芯片的物理內核。


    前人的慘痛教訓證明了這條路是完全走不通的。

章節目錄

閱讀記錄

我的超級黑科技帝國所有內容均來自互聯網,繁體小說網隻為原作者萌主天下無敵的小說進行宣傳。歡迎各位書友支持萌主天下無敵並收藏我的超級黑科技帝國最新章節